4月13日消息，今日長(cháng)江存儲在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070研發(fā)成功，并已在多家控制器廠(chǎng)商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過(guò)驗證。螺桿泵

長(cháng)江存儲表示，X2-6070是業(yè)內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片X2-9060，以滿(mǎn)足不同應用場(chǎng)景的需求。計量泵

據了解，每顆X2-6070 QLC閃存芯片共提供1.33Tb的存儲容量。而在I/O讀寫(xiě)性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實(shí)現1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的數據傳輸速率。離心泵

長(cháng)江存儲表示，公司用短短3年時(shí)間實(shí)現了從32層到64層再到128層的跨越。

另外據財聯(lián)社報道，預計2020年底-2021年中旬陸續量產(chǎn)，目標達到月產(chǎn)能10萬(wàn)片；供應鏈消息透露，這款閃存已送樣。離心泵